EMD6 参数 Datasheet PDF下载

型号：	EMD6
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内容描述：	数字晶体管（ NPN + PNP ） [DIGITAL TRANSISTOR (NPN+ PNP)]
分类和应用：	晶体数字晶体管
文件页数/大小：	1 页 / 397 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

EMD6

数字晶体管（ NPN + PNP ）

特点

DTA143T （PNP）和DTC143T （NPN）晶体管被内置在一个包中。

晶体管元件是独立的，从而消除干扰。

安装成本和面积可减少一半。

外部电路

SOT-563

标记： D6

绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）

参数

集电极 - 基

电压

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

TSTG

范围

100

150

-55~150

单位

℃

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基

电压

集电极电流

集电极耗散功率

结温

储存温度

电气特性（Ta = 25℃）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

输入阻抗

跃迁频率

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

100

3.29

4.7

250

分钟。

0.5

0.3

600

6.11

KΩ

兆赫

= 10V ，我

=-5mA,f=100MHz

典型值

马克斯。

单位

μA

条件

=50μA

=1mA

=50μA

=50V

=4V

=5mA,I

=0.25mA

=5V,I

=1mA

金隅

半导体

www.htsemi.com

日期：2011年/ 05

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