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    BZX84C18CCW 参数 Datasheet PDF下载

    BZX84C18CCW图片预览
    型号： BZX84C18CCW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅平面齐纳二极管 [SILICON PLANAR ZENER DIODES]
    分类和应用： 二极管齐纳二极管局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 380 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号BZX84C18CCW的Datasheet PDF文件第2页  
    BZX84C ... CCW系列
    硅平面齐纳二极管
    3
    1
    2
    绝对最大额定值（T
    a
    = 25
    O
    C)
    参数
    功耗
    工作结存储温度范围
    符号
    P
    D
    T
    j
    ,T
    S
    1.阳极2.阳极3.阴极
    价值
    200
    - 55至+ 150
    单位
    mW
    O
    C
    电气特性
    在T
    a
    = 25
    O
    C
    (V
    F
    = 0.9 V最大。在我
    F
    = 10 mA）的
    TYPE
    BZX84C2V4CCW
    BZX84C2V7CCW
    BZX84C3V0CCW
    BZX84C3V3CCW
    BZX84C3V6CCW
    BZX84C3V9CCW
    BZX84C4V3CCW
    BZX84C4V7CCW
    BZX84C5V1CCW
    BZX84C5V6CCW
    BZX84C6V2CCW
    BZX84C6V8CCW
    BZX84C7V5CCW
    BZX84C8V2CCW
    BZX84C9V1CCW
    BZX84C10CCW
    BZX84C11CCW
    BZX84C12CCW
    BZX84C13CCW
    BZX84C15CCW
    BZX84C16CCW
    BZX84C18CCW
    BZX84C20CCW
    BZX84C22CCW
    BZX84C24CCW
    BZX84C27CCW
    BZX84C30CCW
    BZX84C33CCW
    BZX84C36CCW
    BZX84C39CCW
    1)
    记号
    CODE
    NA
    NB
    NC
    ND
    NE
    NF
    NH
    NJ
    NK
    NM
    NN
    NP
    NR
    NX
    NY
    NZ
    PA
    PB
    PC
    PD
    PE
    PF
    PH
    PJ
    PK
    PM
    PN
    PP
    PR
    PX
    齐纳电压范围
    1)
    V
    Z
    MIN 。 （ V）
    2.2
    2.5
    2.8
    3.1
    3.4
    3.7
    4
    4.4
    4.8
    5.2
    5.8
    6.4
    7
    7.7
    8.5
    9.4
    10.4
    11.4
    12.4
    13.8
    15.3
    16.8
    18.8
    20.8
    22.8
    25.1
    28
    31
    34
    37
    MAX 。 （ V）
    2.6
    2.9
    3.2
    3.5
    3.8
    4.1
    4.6
    5
    5.4
    6
    6.6
    7.2
    7.9
    8.7
    9.6
    10.6
    11.6
    12.7
    14.1
    15.6
    17.1
    19.1
    21.2
    23.3
    25.6
    28.9
    32
    35
    38
    41
    在升
    ZT
    mA
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    2
    2
    2
    2
    2
    Z
    ZT
    最大值（ Ω ）
    100
    100
    95
    95
    90
    90
    90
    80
    60
    40
    10
    15
    15
    15
    15
    20
    20
    25
    30
    30
    40
    45
    55
    55
    70
    80
    80
    80
    90
    130
    动态电阻
    在升
    ZT
    mA
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    5
    2
    2
    2
    2
    2
    Z
    ZK
    最大值（ Ω ）
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    600
    500
    480
    400
    150
    80
    80
    80
    100
    150
    150
    150
    170
    200
    200
    225
    225
    250
    250
    300
    300
    325
    350
    在我
    ZK
    mA
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    0.5
    0.5
    0.5
    0.5
    0.5
    反向电流
    I
    R
    最大（ μA ）
    50
    20
    20
    5
    5
    3
    3
    3
    2
    1
    3
    2
    1
    0.7
    0.5
    0.2
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    0.1
    在V
    R
    V
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    1
    2
    2
    2
    4
    4
    5
    5
    6
    7
    8
    8
    8
    10.5
    11.2
    12.6
    14
    15.4
    16.8
    18.9
    21
    23.1
    25.2
    27.3
    测试了脉冲TP = 20毫秒。
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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