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    BC857BV 参数 Datasheet PDF下载

    BC857BV图片预览
    型号： BC857BV
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双晶体管（ PNP ） [DUAL TRANSISTOR (PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 593 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号BC857BV的Datasheet PDF文件第2页  
    BC857BV
    双
    晶体管（ PNP ）
    特点
    外延片建设
    可提供互补NPN类型
    (BC847BV)
    超小型表面贴装封装
    标记： K5V
    最大额定值（T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明
    )
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θ
    JA
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    热阻。结到环境空气
    结温
    储存温度
    价值
    -50
    -45
    -5
    -0.1
    0.15
    833
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃/W
    ℃
    ℃
    SOT-563
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    h
    FE
    V
    CE(sat)(1)
    V
    CE(sat)(2)
    V
    BE(sat)(1)
    V
    BE(sat)(2)
    V
    BE(1)
    V
    BE(2)
    f
    T
    C
    ob
    NF
    TEST
    条件
    民
    -50
    -45
    -5
    -15
    220
    475
    -0.1
    -0.4
    -0.7
    -0.9
    -0.6
    -0.75
    -0.82
    100
    4.5
    10
    V
    V
    V
    V
    V
    V
    兆赫
    pF
    dB
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    nA
    I
    C
    =-10μA,I
    E
    =0
    I
    C
    =-10mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =-1μA,I
    C
    =0
    V
    CB
    =-30V,I
    E
    =0
    V
    CE
    =-5V,I
    C
    =-2mA
    I
    C
    =-10mA,I
    B
    =-0.5mA
    I
    C
    =-100mA,I
    B
    =-5mA
    I
    C
    =-10mA,I
    B
    =-0.5mA
    I
    C
    =-100mA,I
    B
    =-5mA
    V
    CE
    =-5V,I
    C
    =-2mA
    V
    CE
    =-5V,I
    C
    =-10mA
    V
    CE
    =-5V,I
    C
    =-10mA,f=100MHz
    V
    CB
    =-10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    V
    CE
    =-5V,I
    c
    =-0.2mA,
    f=1kHZ,Rs=2KΩ,BW=200Hz
    基射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    噪声系数
    1
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    日期：2011年/ 05

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