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    BC857B 参数 Datasheet PDF下载

    BC857B图片预览
    型号： BC857B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR (PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 1312 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号BC857B的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BC857B的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC857B的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BC857B的Datasheet PDF文件第5页  
    BC856A,B
    BC857A ， B，C
    BC858A ， B，C
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    BC856
    BC857
    BC858
    集电极 - 发射极击穿电压
    BC856
    BC857
    BC858
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    BC856
    BC857
    BC858
    集电极截止电流
    BC856
    BC857
    BC858
    发射极截止电流
    直流电流增益
    BC856A ， 857A ， 858A
    BC856B ， 857B ， 858B
    BC857C,BC858C
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极电容
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -5毫安
    I
    C
    = -100mA ，我
    B
    = -5mA
    V
    CE
    = -5 V，I
    C
    = -10mA
    h
    FE
    V
    CE
    = -5V,
    I
    C
    = -2mA
    I
    EBO
    I
    首席执行官
    I
    CBO
    V
    EBO
    I
    E
    = -1
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = -70 V，I
    E
    =0
    V
    CB
    = -45 V，I
    E
    =0
    V
    CB
    = -25 V，I
    E
    =0
    V
    CE
    = -60 V，I
    B
    =0
    V
    CE
    = -40 V，I
    B
    =0
    V
    CE
    = -25 V，I
    B
    =0
    V
    EB
    = -5 V ,
    I
    C
    =0
    125
    220
    420
    -0.1
    250
    475
    800
    -0.5
    -1.1
    100
    4.5
    V
    V
    兆赫
    pF
    -0.1
    -0.1
    V
    首席执行官
    I
    C
    = -10mA ，我
    B
    =0
    V
    CBO
    I
    C
    = -10
    μ
    A，I
    E
    =0
    符号
    TEST
    条件
    民
    -80
    -50
    -30
    -65
    -45
    -30
    -5
    V
    V
    V
    最大
    单位
    μ
    A
    μ
    A
    μ
    A
    f
    T
    C
    ob
    f=
    100MHz
    V
    CB
    = -10V ， F = 1MHz的
    ２　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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