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    BC847BV 参数 Datasheet PDF下载

    BC847BV图片预览
    型号： BC847BV
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 双晶体管（ NPN ） [DUAL TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 599 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号BC847BV的Datasheet PDF文件第2页  
    BC847BV
    双晶体管
    （ NPN ）
    SOT-563
    特点
    外延片建设
    互补PNP类型可用
    (BC857BV)
    超小型表面贴装封装
    标记： K4V
    最大额定值（T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θ
    JA
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    热阻。结到环境空气
    结温
    储存温度
    价值
    50
    45
    6
    0.1
    0.15
    833
    150
    -55到+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃/W
    ℃
    ℃
    电气特性（环境温度Tamb = 25 ℃
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    产量
    电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    NF
    除非
    TEST
    否则
    特定网络版）
    民
    50
    45
    6
    15
    100
    200
    450
    100
    300
    700
    900
    580
    660
    700
    770
    100
    4.5
    10
    mV
    mV
    mV
    兆赫
    pF
    dB
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    nA
    nA
    条件
    I
    C
    =10μA,I
    E
    =0
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =1μA,I
    C
    =0
    V
    CB
    =30V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =5V,I
    C
    =0
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =2mA
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =0.5mA
    I
    C
    =100mA,I
    B
    =5mA
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =0.5mA
    I
    C
    =100mA,I
    B
    =5mA
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =2mA
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =10mA
    V
    CE
    =5V,I
    C
    =10mA,f=100MHz
    V
    CB
    =10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    V
    CE
    =5V,Rs=2kΩ,
    f=1kHz,BW=200Hz
    噪声系数
    1
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    日期：2011年/ 05

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