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    BC817-40 参数 Datasheet PDF下载

    BC817-40图片预览
    型号： BC817-40
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 279 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号BC817-40的Datasheet PDF文件第2页  
    BC871
    晶体管（ NPN ）
    BC817-16
    BC817-25
    BC817-40
    特点
    对于一般自动对焦的应用
    高集电极电流
    高电流增益
    低集电极 - 发射极饱和电压
    互补类型： BC807 （ PNP ）
    1.基地
    2.辐射源
    3.收集
    SOT-23
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    Tj
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    50
    45
    5
    0.5
    0.3
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    基射极电压
    捕集器capactiance
    跃迁频率
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    V
    CE
    （SAT）
    V
    BE
    （SAT）
    V
    BE
    C
    ob
    f
    T
    TEST
    条件
    民
    50
    45
    5
    0.1
    0.1
    100
    40
    0.7
    1.2
    1.2
    10
    100
    V
    V
    V
    pF
    兆赫
    600
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    I
    C
    = 10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = 10毫安，我
    B
    =0
    I
    E
    = 1μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = 45 V，I
    E
    =0
    V
    EB
    = 4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 100毫安
    V
    CE
    = 1V ，我
    C
    = 500毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    I
    C
    = 500毫安，我
    B
    = 50毫安
    V
    CE
    = 1 V，I
    C
    = 500毫安
    V
    CB
    = 10V ， F = 1MHz的
    V
    CE
    = 5 V,
    f=100MHz
    I
    C
    = 10毫安
    分类
    秩
    范围
    记号
    h
    FE
    (1)
    BC817-16
    100-250
    6A
    BC817-25
    160-400
    6B
    BC817-40
    250-600
    6C
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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