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    BC808 参数 Datasheet PDF下载

    BC808图片预览
    型号： BC808
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR (PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管光电二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 404 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号BC808的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC808的Datasheet PDF文件第3页  
    BC808
    晶体管（ PNP ）
    SOT-23
    特点
    适用于AF-驱动级和低功率输出级
    补充BC818
    1.
    BASE
    2.
    辐射源
    3.
    集热器
    最大额定值（T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C*
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    价值
    -30
    -25
    -5
    -0.8
    300
    150
    -65-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃
    ℃
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    V
    CE
    =
    -1
    V，I
    C
    =
    -300
    mA
    I
    C
    =-
    500
    妈，我
    B
    =
    -50
    mA
    V
    CE
    =
    -1
    V，I
    C
    =
    -300
    mA
    V
    CE
    =
    -5
    V，I
    C
    =
    -10
    毫安， F =
    50
    兆赫
    V
    CB
    =
    -10
    V，I
    E
    =0, f=
    1
    兆赫
    TEST
    I
    C
    = -100μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    =
    -10
    妈，我
    B
    =0
    I
    E
    =
    -100
    μA,
    I
    C
    =0
    V
    CB
    =
    -25
    V，I
    E
    =0
    V
    EB
    =
    -4
    V，I
    C
    =0
    V
    CE
    =
    -1
    V，I
    C
    =
    -100
    mA
    条件
    民
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    -30
    -25
    -5
    -0.1
    -0.1
    100
    60
    -0.7
    -1.2
    100
    12
    40
    250-630
    5G
    630
    μA
    μA
    V
    V
    兆赫
    pF
    f
    T
    C
    ob
    分类
    秩
    范围
    h
    FE(1)
    记号
    １　
    金隅
    h
    FE
    16
    100-250
    5E
    25
    160-400
    5F
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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