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    AO3401 参数 Datasheet PDF下载

    AO3401图片预览
    型号： AO3401
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 30V P沟道增强型MOSFET [30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 3 页 / 1436 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号AO3401的Datasheet PDF文件第1页浏览型号AO3401的Datasheet PDF文件第3页  
    AO3401
    30V P沟道增强型MOSFET
    电气特性（ TA = 25℃除非另有说明）
    参数
    STATIC
    漏源击穿电压
    漏源导通电阻
    漏源导通电阻
    漏源导通电阻
    栅极阈值电压
    零栅极电压漏极电流
    门体漏
    正向跨导
    动态
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    导通延迟时间
    开启上升时间
    打开-O FF延迟时间
    关断下降时间
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    源极 - 漏极二极管
    马克斯。二极管的正向电流
    二极管的正向电压
    符号
    测试条件
    分钟。
    典型值。
    Miax 。
    单位
    BV
    DSS
    R
    DS （ ON）
    R
    DS （ ON）
    R
    DS （ ON）
    V
    GS （ TH）
    I
    DSS
    I
    GSS
    g
    fs
    V
    GS
    = 0V时，我
    D
    = -250uA
    V
    GS
    = -10V ，我
    D
    = -4.2A
    V
    GS
    = -4.5V ，我
    D
    = -4A
    V
    GS
    = -2.5V ，我
    D
    =-1A
    V
    DS
    =V
    GS
    , I
    D
    = -250uA
    V
    DS
    = -24V, V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±
    12V, V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = -5V ，我
    D
    = -5A
    -30
    42.0
    64.0
    80.0
    -0.7
    -1
    64.0
    75.0
    120.0
    -1.3
    -1
    ±
    100
    7
    11
    V
    mΩ
    V
    uA
    nA
    S
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    V
    DS
    = 20V ，我
    D
    = 5.7A
    V
    GS
    = 10V
    9.4
    2
    3
    6.3
    nC
    V
    DD
    = 20V ， RL = 20Ω
    I
    D
    = 1A ，V
    根
    = 10V
    R
    G
    = 6Ω
    3.2
    38.2
    12
    954
    115
    77
    ns
    V
    DS
    = 8V, V
    GS
    = 0V
    F = 1.0 MHz的
    pF
    I
    S
    V
    SD
    I
    S
    = 1.8A ，V
    GS
    = 0V
    -2.2
    -1.0
    A
    V
    注：脉冲测试：脉冲宽度< = 300US ，值班cycle< = 2 ％
    ２　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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