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    A44 参数 Datasheet PDF下载

    A44图片预览
    型号： A44
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR (NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 1 页 / 172 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    A44
    晶体管
    （ NPN ）
    SOT-89-3L
    特点
    低集电极 - 发射极饱和电压
    高的击穿电压
    1.基地
    2.收集
    3.辐射源
    标记： A44
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    500
    400
    6
    300
    500
    250
    150
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    *
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    *
    h
    FE(3)
    *
    h
    FE(4)
    *
    集电极 - 发射极饱和电压
    V
    CE （ SAT ）
    *
    V
    BE （ SAT ）
    *
    C
    ob
    C
    ib
    *
    TEST
    条件
    民
    500
    400
    6
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    =100µA,I
    E
    =0
    I
    C
    =1mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =10µA,I
    C
    =0
    V
    CB
    =400V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =4V,I
    C
    =0
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =1mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =10mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =50mA
    V
    CE
    = 10V ，我
    C
    =100mA
    I
    C
    =1mA,I
    B
    =0.1mA
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =1mA
    I
    C
    =50mA,I
    B
    =5mA
    I
    C
    =10mA,I
    B
    =1mA
    V
    CB
    = 20V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    BE
    = 0.5V ，我
    C
    = 0中，f = 1MHz的
    V
    （ BR ） EBO
    0.1
    0.1
    40
    50
    45
    40
    0.4
    0.5
    0.75
    0.75
    7
    130
    200
    µA
    µA
    V
    V
    V
    V
    pF
    pF
    基射极饱和电压
    集电极输出电容
    发射极输入电容
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300μs,
    占空比cycle≤ 2.0％。
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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