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A1015 参数 Datasheet PDF下载

A1015图片预览
型号: A1015
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR (PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 262 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号A1015的Datasheet PDF文件第2页  
A105
1
晶体管( PNP )
SOT-23
特点
高电压和高电流
优秀ħ
FE
线性
低niose
补充C1815
1.基地
2.辐射源
3.收集
标记: BA
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
-50
-50
-5
150
200
125
-55-125
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V( BR )
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(SAT)
f
T
TEST
条件
-50
-50
-5
-0.1
-0.1
-0.1
130
400
-0.3
-1.1
80
V
V
兆赫
典型值
最大
单位
V
V
V
uA
uA
uA
I
C
= -100u A,I
E
=0
I
C
= -0.1mA ,我
B
=0
I
E
= -100 ü A,I
C
=0
V
CB
=-50V ,
V
CE
= -50V ,
V
EB
=- 5V,
V
CE
=-6V,
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
I
C
= -2mA
I
C
= -100毫安,我
B
= -10mA
I
C
= -100毫安,我
B
= -10mA
V
CE
= -10V ,我
C
= -1mA
f=30MHz
分类
范围
OF
h
FE
L
130-200
H
200-400
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05