2SK3018 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SK3018
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内容描述：	N沟道增强型MOSFET [N-Channel Enhancement Mode MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	4 页 / 974 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

2SK3018

N沟道增强型MOSFET

•电气特性（Ta = 25

°C

)

参数

栅源漏

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

门treshold电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

Symbo

GSS

（ BR ） DS

DSS

GS （ TH）

DS （ ON）

YFS

西塞

科斯

CRSS

分钟。

----

0.8

----

典型值。

----

马克斯。

±1

----

1.5

----

单位

µA

测试条件

=±20V,V

=0V

= 10μA ，V

=0V

=30V ,V

=0V

= 3V ，我

=100µA

= 10毫安，V

= 4V

= 1mA时， V

=2.5V

= 3V ，我

=10mA

=5V

=0V

F = 1 MHz的

= 10 mA时， V

=5V

= 5V

=500Ω

=10Ω

D（上）

D（关闭）

①包装规格

包

TYPE

CODE

基本订购单位

（件）

2SK3018

TAPING

T106

3000

●

●电气特性曲线

２　

金隅

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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