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2SD1757K 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SD1757K
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内容描述: 晶体管( NPN ) [TRANSISTOR (NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 713 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号2SD1757K的Datasheet PDF文件第2页  
2SD1757K
晶体管( NPN )
特点
最佳的静音。
SOT-23
1.基地
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
30
15
6.5
500
200
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
2.辐射源
3.收集
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
COB
TEST
I
C
=
50μ
A,I
E
=0
I
C
=
1
妈,我
B
=0
I
E
=
50μ
A,I
C
=0
V
CB
=2
0
V,I
E
=0
V
EB
=
4
V,I
C
=0
V
CE
=
3
V,I
C
=
100
mA
I
C
= 500毫安,我
B
=50mA
V
CE
= 5V ,我
C
= 50mA时
f=100
兆赫
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MH
Z
150
15
120
条件
30
15
6.5
0.5
0.5
560
0.4
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
分类
范围
记号
h
FE
Q
120-270
AAQ
R
180-390
AAR
S
270-560
AAS
1 
金隅
半导体
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