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型号: 2SC4944
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内容描述: 双晶体管( NPN + NPN ) [DUAL TRANSISTOR (NPN+ NPN)]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 1 页 / 356 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
   
2SC4944
双晶体管( NPN + NPN )
SOT-353
特点
小型封装(双型)
高电压和高电流
高ħ
FE ,
优秀
h
FE
线性
补充2SA1873
标记: LY LGR
1
最大额定值(T
a
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
参数
价值
60
50
5
150
200
150
-55至150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性(T
a
= 25 ℃除非另有规定)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
TEST
条件
60
50
5
0.1
0.1
120
400
0.25
80
3.5
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=100μA,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
I
E
=100μA,I
C
=0
V
CB
=60V,I
E
=0
V
EB
=5V,I
C
=0
V
CE
=6V,I
C
=2mA
I
C
=100mA,I
B
=10mA
V
CE
=10V,I
C
=1mA
V
CB
=10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
范围
记号
h
FE
Y
120-240
LY
GR
200-400
LGR
1
金隅
半导体
www.htsemi.com
日期:2011年/ 05