2SC2715
晶体管（ NPN ）
特点
SOT-23
1.
BASE
高功率增益
推荐FM IF ， OSC舞台和AM CONV 。 IF级。
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
35
30
4
50
350
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
2.
辐射源
3.
集热器
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
功率增益
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
TEST
I
C
=
10
μA,
I
E
=0
I
C
=
1
妈，我
B
=0
I
E
=
10
μA,
I
C
=0
V
CB
= 35V ，我
E
=0
V
EB
=
4
V，I
C
=0
V
CE
= 12V，我
C
=2mA
I
C
=
10
妈，我
B
=
1
mA
I
C
=
10
妈，我
B
=
1
mA
V
CE
= 10V ，我
C
=
1
mA
V
CE
=
6
V，I
C
=
1
毫安， F =
10.7M
HZ
100
27
条件
民
典型值
最大
单位
V
V
V
35
30
4
0.1
0.1
40
240
0.4
1
400
33
μA
μA
V
V
兆赫
dB
f
T
GPE
分类
秩
范围
记号
１
金隅
h
FE(1)
R
40-80
RR1
O
70-140
RO1
Y
120-240
RY1
半导体
www.htsemi.com
HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
