2SC2712
晶体管（ NPN ）
特征
·
低噪音： NF = 1分贝（典型值） ， 10分贝（ MAX）
·
补充2SA1162
最大额定值（T
A
= 25℃除非另有说明）
SOT-23
1.基地
2.辐射源
3.收集
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
60
50
5
150
150
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
℃
℃
电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
输出电容
噪声系数
符号
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
f
T
C
ob
NF
TEST
条件
民
60
50
5
0.1
0.1
70
0.1
80
2.0
1.0
3.5
10
700
0.25
V
兆赫
pF
dB
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，
I
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 60 V，I
E
=0
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 6V ，我
C
=2mA
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
= 1毫安
V
CB
= 10V ，我
E
= 0中，f = 1 MHz的
V
CE
=6V,I
C
=0.1mA,f=1kHz,
Rg=10kΩ
分类h及
FE
秩
范围
记号
O
70-140
LO
Y
120-240
LY
GR
200-400
LG
BL
350-700
LL
１
金隅
半导体
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HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
