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    2SC1766 参数 Datasheet PDF下载

    2SC1766图片预览
    型号： 2SC1766
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ NPN ） [TRANSISTOR(NPN)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关
    文件页数/大小： 1 页 / 372 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
       
    2SC1766
    晶体管（ NPN ）
    特点
    小扁包
    高速开关时间
    低集电极 - 发射极饱和电压
    应用
    功率放大器
    最大额定值（T
    a
    = 25℃除非另有说明）
    SOT-89-3L
    1.基地
    2.收集
    3.辐射源
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    R
    θJA
    T
    j
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流
    集电极耗散功率
    从结点到环境的热阻
    结温
    储存温度
    价值
    50
    50
    5
    2
    500
    250
    150
    -55~+150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃/W
    ℃
    ℃
    电气特性（T
    a
    = 25 ℃除非另有规定）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    *
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    TEST
    条件
    民
    50
    50
    5
    0.1
    0.1
    70
    20
    0.5
    1.2
    120
    V
    V
    兆赫
    240
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    µA
    µA
    I
    C
    =100µA,I
    E
    =0
    I
    C
    =1mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =100µA,I
    C
    =0
    V
    CB
    =50V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =5V,I
    C
    =0
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =0.5A
    V
    CE
    = 2V ，我
    C
    =2A
    I
    C
    =1A,I
    B
    =50mA
    I
    C
    =1A,I
    B
    =50mA
    V
    CE
    =2V,I
    C
    =0.5A,f=100MHz
    分类h及
    FE(1)
    秩
    范围
    记号
    P
    82–180
    P1766
    Q
    120–270
    Q1766
    Y
    180–390
    Y1766
    *脉冲测试：脉冲宽度
    ≤300μs,
    占空比cycle≤ 2.0％。
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com

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