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    2SB766 参数 Datasheet PDF下载

    2SB766图片预览
    型号： 2SB766
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR(PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 226 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号2SB766的Datasheet PDF文件第2页  
    2SB7 66
    晶体管（ PNP ）
    SOT-89
    1.
    BASE
    特点
    大集电极耗散功率P
    C
    补充2SD874
    2.
    集热器
    3.
    辐射源
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    -30
    -25
    -5
    -1
    500
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃
    ℃
    1
    2
    3
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    h
    FE(2)
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE （ SAT ）
    f
    T
    C
    ob
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    =-1A
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    I
    C
    = -500mA ，我
    B
    =-50mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -50mA ， F = 200MHz的
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0中，f = 1MHz的
    50
    -0.2
    -0.85
    200
    20
    30
    -0.4
    -1.2
    V
    V
    兆赫
    pF
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    TEST
    I
    C
    = -10μA ，我
    E
    =0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10μA ，我
    C
    =0
    V
    CB
    = -20V ，我
    E
    =0
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    =-500mA
    85
    条件
    民
    -30
    -25
    -5
    -0.1
    -0.1
    340
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    分类
    秩
    范围
    记号
    １　
    金隅
    h
    FE(1)
    Q
    85-170
    AQ
    R
    120-240
    AR
    S
    170-340
    AS
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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