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    2SB709A 参数 Datasheet PDF下载

    2SB709A图片预览
    型号： 2SB709A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR(PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 3 页 / 414 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号2SB709A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SB709A的Datasheet PDF文件第3页  
    2SB7 09A
    晶体管（ PNP ）
    SOT-23
    特点
    对于一般的放大
    补充2SD601A
    最大额定值（T
    A
    =25
    ℃
    除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    1.
    BASE
    2.
    辐射源
    3.
    集热器
    价值
    -45
    -45
    -7
    -100
    200
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    mA
    mW
    ℃
    ℃
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    集电极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    首席执行官
    h
    FE
    V
    CE
    （SAT）
    TEST
    条件
    民
    -45
    -45
    -7
    -0.1
    -100
    160
    460
    -0.5
    V
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    = -10
    μ
    A，I
    E
    =0
    I
    C
    = -2mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -10
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    = -20 V，I
    E
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    B
    =0
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -2mA
    I
    C
    = -100毫安，我
    B
    = -10mA
    V
    CE
    = -10V ，我
    C
    = -1mA
    μ
    A
    μ
    A
    跃迁频率
    f
    T
    f=
    200MHz
    V
    CB
    = -10V ，我
    E
    = 0
    60
    兆赫
    集电极输出电容
    C
    ob
    f=1
    兆赫
    2.7
    pF
    分类
    秩
    范围
    记号
    １　
    金隅
    H
    FE
    Q
    160-260
    BQ1
    R
    210-340
    BR1
    S
    290-460
    BS1
    半导体
    www.htsemi.com

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