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2SB624 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SB624
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR(PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小: 2 页 / 446 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号2SB624的Datasheet PDF文件第2页  
2SB624
晶体管( PNP )
SOT-23
1.BASE
特点
高直流电流增益。 ħ
FE
: 200 TYP (V 。
CE
=-1V,I
C
=-100mA)
免费为2SD596 。
2.EMITTER
3.COLLECTOR
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
D
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
器件总功耗
结温
储存温度
价值
-30
-25
-5
-700
200
150
-55-150
单位
V
V
V
mA
mW
电气特性(环境温度Tamb = 25
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE(1)
*
h
FE(2)
*
V
CE ( SAT )
*
V
BE
*
TEST
条件
I
E
=0
-30
-25
-5
-0.1
-0.1
110
50
-0.6
-0.6
160
17
-0.7
V
V
兆赫
pF
400
典型值
最大
单位
V
V
V
I
C
=-100
μ
A,
I
C
= -1mA ,我
B
=0
I
E
= -100
μ
A,I
C
=0
V
CB
= -30 V,I
E
=0
V
EB
= -5V ,
V
CE
= -1V,
V
CE
=-1V,
I
C
=0
I
C
= -100mA
I
C
= -700mA
μ
A
μ
A
I
C
= -700毫安,我
B
= -70mA
V
CE
= -6V ,我
C
=-10mA
V
CE
= -6V,
I
C
= -10mA
f
T
COB
V
CB
=-6V,I
E
=0,f=1MH
Z
*
脉冲测试:脉冲宽度
≤350μs,Duty
Cycle≤2%.
分类h及
FE(1)
记号
范围
1 
金隅
BV1
110-180
BV2
135-220
BV3
170-270
BV4
200-320
BV5
250-400
半导体
www.htsemi.com
D½½½:2011/05