2SB1189 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB1189
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内容描述：	晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR(PNP)]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	2 页 / 267 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

2SB1 1 8 9

晶体管（ PNP ）

特点

高的击穿电压

补充到2SD1767

最大额定值（T

= 25℃除非另有说明）

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 连续

集电极耗散功率

结温

储存温度

价值

-80

-5

-0.7

0.5

150

-55-150

单位

℃

电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

TEST

条件

民

-80

-5

-0.5

390

-0.4

100

兆赫

典型值

最大

单位

μA

=-50μA,I

=-2mA,I

=-50μA,I

=-50V,I

=-4V,I

=-3V,I

=-100mA

=-500mA,I

=-50mA

=-10V,I

=-50mA,f=100MHz

=-10V,I

=0,f=1MHz

分类

秩

范围

记号

１　

金隅

82-180

BDP

120-270

BDQ

180-390

BDR

半导体

www.htsemi.com

Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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