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    2SB1197 参数 Datasheet PDF下载

    2SB1197图片预览
    型号： 2SB1197
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR(PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 2 页 / 315 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号2SB1197的Datasheet PDF文件第2页  
    2SB1 1 97
    晶体管（ PNP ）
    SOT-23
    单位：mm
    1.基地
    特点
    低V
    CE （ SAT ）
    .V
    CE （ SAT ）
    <-0.5V(I
    C
    / I
    B
    = -0.5A / -50mA ）
    I
    C
    =-0.8A.
    补充2SD1781 。
    2.辐射源
    3.收集
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    -40
    -32
    -5
    -0.8
    200
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    mW
    ℃
    ℃
    电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE
    V
    CE
    （SAT）
    TEST
    条件
    I
    E
    =0
    民
    -40
    -32
    -5
    -0.5
    -0.5
    82
    390
    -0.5
    50
    200
    12
    30
    V
    兆赫
    pF
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    I
    C
    =-50
    μ
    A,
    I
    C
    = -1mA ，我
    B
    =0
    I
    E
    = -50
    μ
    A，I
    C
    =0
    V
    CB
    =-20V,I
    E
    =0
    V
    EB
    = -4V ，我
    C
    =0
    V
    CE
    =-3V,I
    C
    = -100mA
    I
    C
    = -500毫安，我
    B
    = -50mA
    V
    CE
    = -5V ，我
    C
    = -50mA ，
    f=100MHz
    V
    CB
    =-10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    μ
    A
    μ
    A
    f
    T
    C
    ob
    分类h及
    FE
    秩
    范围
    记号
    P
    82-180
    层次分析法
    Q
    120-270
    AHQ
    R
    180-390
    AHR
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ½½½：２０１１／０５

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