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2SB1073 参数 Datasheet PDF下载

2SB1073图片预览
型号: 2SB1073
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内容描述: 晶体管 [TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管光电二极管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 248 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号2SB1073的Datasheet PDF文件第2页  
2SB1 07 3
晶体管
特点
低集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
大峰值集电极电流I
C
最大额定值(T
A
= 25℃除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
结温
储存温度
价值
-30
-20
-7
-4
0.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
电气特性(除非另有规定环境温度Tamb = 25℃)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
f
T
C
ob
TEST
条件
-30
-20
-7
-0.1
-0.1
120
315
-1
120
40
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-10μA,I
E
=0
I
C
=-1mA,I
B
=0
I
E
=-10μA,I
C
=0
V
CB
=-30V,I
E
=0
V
EB
=-7V,I
C
=0
V
CE
=-2V,I
C
=-2A
I
C
=-3A,I
B
=-100mA
V
CE
=-6V,I
C
=-50mA,f=200MHz
V
CB
=-20V,I
E
=0,f=1MHz
分类
范围
记号
h
FE
Q
120-205
IQ
R
180-315
IR
1 
金隅
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05