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    2SA1662 参数 Datasheet PDF下载

    2SA1662图片预览
    型号： 2SA1662
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR (PNP)]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 261 K
    品牌： HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
     浏览型号2SA1662的Datasheet PDF文件第2页  
    2SA1662
    晶体管（ PNP ）
    特点
    补充KTC4374
    最大额定值（T
    A
    = 25℃除非另有说明）
    符号
    V
    CBO
    V
    首席执行官
    V
    EBO
    I
    C
    P
    C
    T
    J
    T
    英镑
    参数
    集电极 - 基极电压
    集电极 - 发射极电压
    发射极 - 基极电压
    集电极电流 - 连续
    集电极耗散功率
    结温
    储存温度
    价值
    -80
    -80
    -5
    -0.4
    0.5
    150
    -55-150
    单位
    V
    V
    V
    A
    W
    ℃
    ℃
    3.辐射源
    2.收集
    SOT-89
    1.基地
    1
    2
    3
    电气特性（环境温度Tamb = 25
    ℃
    除非另有规定编）
    参数
    集电极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极击穿电压
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极电压
    跃迁频率
    集电极输出电容
    符号
    V
    （ BR ） CBO
    V
    （ BR ） CEO
    V
    （ BR ） EBO
    I
    CBO
    I
    EBO
    h
    FE(1)
    h
    FE(2)
    V
    CE （ SAT ）
    V
    BE
    f
    T
    C
    ob
    TEST
    I
    C
    =-1mA,I
    E
    =0
    I
    C
    =-10mA,I
    B
    =0
    I
    E
    =-1mA,I
    C
    =0
    V
    CB
    =-80V,I
    E
    =0
    V
    EB
    =-5V,I
    C
    =0
    V
    CE
    =-2V,I
    C
    =-50mA
    V
    CE
    =-2V,I
    C
    =-200mA
    I
    C
    =-200mA,I
    B
    =-20mA
    V
    CE
    =-2V,I
    C
    =-5mA
    V
    CE
    =-10V,I
    C
    =-10mA
    V
    CB
    =-10V,I
    E
    =0,f=1MHz
    -0.55
    120
    14
    70
    40
    -0.4
    -0.8
    V
    V
    兆赫
    pF
    条件
    民
    -80
    -80
    -5
    -0.1
    -0.1
    240
    典型值
    最大
    单位
    V
    V
    V
    μA
    μA
    分类
    秩
    范围
    记号
    h
    FE(1)
    O
    70-140
    FO
    Y
    120-240
    FY
    １　
    金隅
    半导体
    www.htsemi.com
    Ｄ�½��½��½�：２０１１／０５

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