2SA1579 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SA1579
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内容描述：	晶体管（ PNP ） [TRANSISTOR(PNP)]
分类和应用：	晶体晶体管光电二极管
文件页数/大小：	2 页 / 289 K
品牌：	HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]

2SA1 57 9

晶体管（ PNP ）

SOT-323

1.基地

特点

高击穿电压。（ BV

首席执行官

= -120V)

补充2SC4102

2.辐射源

3.收集

最大额定值（T

= 25℃除非另有说明）

符号

CBO

首席执行官

EBO

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流 - 连续

集电极耗散

结温

储存温度

价值

-120

-5

-50

100

150

-55-150

单位

℃

电气特性（除非另有规定环境温度Tamb = 25℃）

参数

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

跃迁频率

集电极输出电容

符号

（ BR ） CBO

（ BR ） CEO

（ BR ） EBO

CBO

EBO

CE （ SAT ）

TEST

条件

民

-120

-5

-0.5

180

560

-0.5

140

3.2

兆赫

典型值

最大

单位

μA

=-50μA,I

=-1mA,I

=-50μA,I

=-100V,I

=-4V,I

=-6V,I

=-2mA

=-10mA,I

=-1mA

=-12V,I

=-2mA,f=30MHz

=-12V,I

=0,f=1MHz

分类

秩

范围

记号

１　

金隅

180-390

270-560

半导体

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