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2SA1201 参数 Datasheet PDF下载

2SA1201图片预览
型号: 2SA1201
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内容描述: 晶体管( PNP ) [TRANSISTOR(PNP)]
分类和应用: 晶体晶体管放大器
文件页数/大小: 2 页 / 275 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
 浏览型号2SA1201的Datasheet PDF文件第2页  
2SA1 201
晶体管( PNP )
特点
高压
高转换频率
补充2SC2881
最大额定值(T
A
=25
除非另有说明)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
SOT-89
1.
BASE
2.
集热器
3.
辐射源
1
2
3
价值
-120
-120
-5
-0.8
0.5
150
-55-150
单位
V
V
V
A
W
结温
储存温度
电气特性(环境温度Tamb = 25
除非另有规定编)
参数
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
符号
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
f
T
C
ob
TEST
条件
-120
-120
-5
-0.1
-0.1
80
240
-1
-1
120
30
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
V
V
μA
μA
I
C
=-1mA,I
E
=0
I
C
=-10mA,I
B
=0
I
E
=-1mA,I
C
=0
V
CB
=-120V,I
E
=0
V
EB
=-5V,I
C
=0
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
I
C
=-500mA,I
B
=-50mA
V
CE
=-5V,I
C
=-500mA
V
CE
=-5V,I
C
=-100mA
V
CB
=-10V,I
E
=0,f=1MHz
分类
范围
记号
1 
金隅
h
FE
O
80-160
DO
Y
120-240
DY
半导体
www.htsemi.com
D�½��½��½�:2011/05