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MM1Z12B 参数 Datasheet PDF下载

MM1Z12B图片预览
型号: MM1Z12B
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内容描述: 硅平面齐纳二极管 [SILICON PLANAR ZENER DIODES]
分类和应用: 二极管齐纳二极管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 586 K
品牌: HTSEMI [ SHENZHEN JIN YU SEMICONDUCTOR CO., LTD. ]
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MM1Z2V2B~MM1Z39B  
O
Characteristics at Ta = 25 C  
Zener Voltage Range 1)  
Dynamic Impedance 2)  
Reverse Leakage Current  
Marking  
Type  
lZT for  
VZT  
ZZT (Max.)  
at IZT  
IR (Max.)  
at VR  
Vznom  
Code  
V
mA  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
V
mA  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
μA  
120  
120  
120  
50  
20  
10  
5
V
0.7  
1
MM1Z2V2B  
MM1Z2V4B  
MM1Z2V7B  
MM1Z3V0B  
MM1Z3V3B  
MM1Z3V6B  
MM1Z3V9B  
MM1Z4V3B  
MM1Z4V7B  
MM1Z5V1B  
MM1Z5V6B  
MM1Z6V2B  
MM1Z6V8B  
MM1Z7V5B  
MM1Z8V2B  
MM1Z9V1B  
MM1Z10B  
MM1Z11B  
MM1Z12B  
MM1Z13B  
MM1Z15B  
MM1Z16B  
MM1Z18B  
MM1Z20B  
MM1Z22B  
MM1Z24B  
MM1Z27B  
MM1Z30B  
MM1Z33B  
MM1Z36B  
MM1Z39B  
9B  
9C  
9D  
9E  
9F  
9H  
9J  
2.2  
2.4  
2.7  
3.0  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
2.1...2.4  
100  
100  
110  
120  
120  
100  
100  
100  
100  
80  
2.3…2.65  
2.65…2.95  
2.95…3.25  
3.25…3.55  
3.6…3.845  
3.89…4.16  
4.17…4.43  
4.55…4.75  
4.98…5.2  
1
1
1
1
1
9K  
9M  
9N  
9P  
9R  
9X  
9Y  
9Z  
0A  
0B  
0C  
0D  
0E  
0F  
0H  
0J  
5
1
2
1
2
1.5  
2.5  
3
5.49…5.73  
6.06…6.33  
6.65…6.93  
7.28…7.6  
60  
1
60  
1
40  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
2
3.5  
4
30  
8.02…8.36  
8.85…9.23  
9.77…10.21  
10.76…11.22  
11.74…12.24  
12.91…13.49  
14.34…14.98  
15.85…16.51  
17.56…18.35  
19.52…20.39  
21.54…22.47  
23.72…24.78  
26.19…27.53  
29.19…30.69  
32.15…33.79  
35.07…36.87  
37…41  
30  
5
30  
6
30  
7
11  
30  
8
12  
30  
9
13  
37  
10  
11  
12  
13  
15  
17  
19  
21  
23  
25  
27  
30  
15  
42  
16  
50  
18  
65  
0K  
0M  
0N  
0P  
0R  
0X  
0Y  
0Z  
20  
85  
22  
100  
120  
150  
200  
250  
300  
100  
24  
27  
30  
33  
36  
39  
1) VZ is tested with pulses(20 ms).  
2)  
Z
is measured at IZ by given a very small A.C. current signal.  
ZT  
2
JinYu  
semiconductor  
www.htsemi.com  
Date:2011/05