DDR终端稳压器
TJ2996
V
DDQ
V
DDQ
在输入用于创建内部参考电压，用于调节V
TT
。参考
电压由两个内部50kΩ的电阻器的电阻器分压器生成的。这保证了V
TT
将
轨道V
DDQ
/ 2精确。 V的最佳实施
DDQ
是作为远程感。这可以是
通过连接V实现
DDQ
直接到2.5V轨的DIMM ，而不是AV
IN
和PV
IN
。这
确保了参考电压跟踪DDR存储器轨道精确而不需要大的电压降
从电源线。对于SSTL - 2应用V
DDQ
将是一个2.5V的信号，这将创建一个1.25V
在V终止电压
TT
（对于V的精确值，请参阅电气特性表
TT
过度
温度）
V
SENSE
检测引脚的目的是为了提供更好的远程负载调节。在大多数主板
应用程序的终端电阻将连接到V
TT
在相当长的飞机。如果输出电压为
仅在TJ2996的输出调节那么长跟踪将导致产生一个显著IR降
终止电压低时比其他总线的一端。在V
SENSE
针可以用于改善
这样的表现，通过将其连接到总线的中间。这将跨越提供更好的分布
整个终端总线。如果不使用遥控器的负载调整率则V
SENSE
脚仍然必须
连接到V
TT
。应注意，当一个V
SENSE
轨迹接近实现
的存储器。在V噪声拾取
SENSE
跟踪可能会导致问题与V的精确调控
TT
. A
小0.1uF的陶瓷电容放在旁边的V
SENSE
针可以帮助滤除的高频信号，
防止错误。
关闭
该TJ2996包含一个低电平有效关断引脚，可用于三态V
TT
。在关断期间
V
TT
不应该接触到的电压超过AVIN 。与关断引脚置为低电平的
在TJ2996的静态电流会下降但是， V
DDQ
将始终保持恒定阻抗
100kΩ的用于产生内部参考。因此，要计算在关机的总功率损耗
两个电流需要考虑。欲了解更多信息，请参阅热耗散部分。
V
REF
V
REF
提供的内部参考电压V的缓冲输出
DDQ
/ 2，此输出应该是
用于提供参考电压的北桥芯片和存储器。因为这些输入
典型地非常高的阻抗，应该有从吸入小电流
V
REF
。对于改善
性能，输出旁路电容，可使用靠近销，以帮助噪声。一
陶瓷电容器0.1 μF至0.01 μF的范围内推荐。在此输出仍然有效
在关机状态挂起到RAM功能。
V
TT
V
TT
]是用于终止总线电阻的稳压输出。它可以吸收和
输出电流，同时调节输出精确到V
DDQ
/ 2。 TJ2996被设计用来处理
达峰值瞬态电流为± 3A具有快速的瞬态响应。如果暂时预计将持续
以上的最大连续电流额定值为一个显著量的时间，然后输出电容
应尺寸足够大，以防止过大的电压降。尽管该TJ2996是
设计用于处理大的瞬时输出电流是不能够处理这些较长的时间，
2010年07月 - 修订版1.5.3
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