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HUN2111 参数 Datasheet PDF下载

HUN2111图片预览
型号: HUN2111
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内容描述: PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 [PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 46 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 基极截止电流(V
CB
= -50V ,我
E
=0)
集电极 - 发射极截止电流(V
CE
= -50V ,我
B
=0)
HUN2111
HUN2112
HUN2113
HUN2114
HUN2115
HUN2116
HUN2130
发射基截止电流
(V
EB
= -6V ,我
C
=0)
HUN2131
HUN2132
HUN2133
HUN2134
HUN2136
HUN2137
HUN2140
集电极 - 基极击穿电压(I
C
= -10uA ,我
E
=0)
集电极 - 发射极击穿电压(I
C
= -2mA ,我
B
=0)
*基本特征
HUN2111
HUN2112
HUN2113
HUN2114
HUN2115
HUN2116
HUN2130
HUN2131
HUN2132
HUN2133
HUN2134
HUN2136
HUN2137
HUN2140
35
60
80
80
160
160
3
8
15
80
80
80
80
120
I
CBO
I
首席执行官
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-50
-50
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
符号
分钟。
规格。编号: HN200301
发行日期: 2003年3月1日
修订日期: 2005.01.14
页页次: 2/5
典型值。
马克斯。
-100
-500
-0.5
-0.2
-0.1
-0.2
-0.9
-1.9
-4.3
-2.3
-1.5
-0.18
-0.13
-0.05
-0.13
-0.20
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
NADC
NADC
I
EBO
MADC
V
( BR ) CBO
*V
( BR ) CEO
VDC
VDC
直流电流增益
(V
CE
= -10V ,我
C
=-5mA)
的hFE
60
100
140
140
250
250
5
15
27
140
130
150
140
250
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= -10mA ,我
B
= -0.3mA ) HUN2111 / HUN2112 / HUN2113 / HUN2114
HUN2115/HUN2130/HUN2136/HUN2137
(I
C
= -10mA ,我
B
= -5mA ) HUN2131
(I
C
= -10mA ,我
B
= -1mA ) HUN2116 / HUN2132 / HUN2134 / HUN2140
HUN2111
HUN2112
HUN2114
HUN2115
输出电压(上)
HUN2116
HUN2130
(V
CC
=-5V, V
B
= -2.5V ,R
L
=1kΩ)
HUN2131
HUN2132
HUN2133
HUN2134
HUN2113
(V
CC
=-5V, V
B
= -3.5V ,R
L
=1kΩ)
HUN2140
HUN2136
(V
CC
=-5V, V
B
= -5.5V ,R
L
=1kΩ)
HUN2137
(V
CC
=-5V, V
B
= -4.0V ,R
L
=1kΩ)
V
CE ( SAT )
-
-
-0.25
VDC
V
OL
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
-0.2
VDC
*脉冲测试:脉冲宽度
≤300us,
值班Cycle≤2 %
HUN21XX系列
HSMC产品规格