HU603AL 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HU603AL
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内容描述：	N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 [N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用：	晶体晶体管场效应晶体管
文件页数/大小：	5 页 / 63 K
品牌：	HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]

HI- SINCERITY

微电子股份有限公司。

•

开关特性

符号

参数

导通延迟时间

吨（ON）的

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

T（关）

关断下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

条件

= 15V ，我

=25A

= 10V ，R

根

=24Ω

= 10V ，我

=25A,

=10V

规格。编号：初步数据

发行日期： 1998年7月1日

修订日期： 1999年8月1日

页页次： 2/5

民

典型值

最大单位

110纳秒

150纳秒

130纳秒

•

漏源二极管的特性和最大额定值

最大连续漏源二极管的正向电流

漏源二极管的正向电压

= 0V时，我

=25A

1.3

特性曲线

在区域特征

100

VGS = 10V 8V

3.0

7V 6V

VGS = 4V

导通电阻变化随着栅极电压&

漏电流

归漏源开 -

阻力

漏源电流（A ）

2.5

4.5V

2.0

1.5

1.0

10V

0.5

漏源极电压（ V）

漏电流（ A）

导通电阻变化&温度

1.6

导通电阻变化&漏电流&

温度

2.5

归漏源导通电阻

1.5

1.3

1.2

1.1

1.0

0.9

0.8

ID=25A

VGS=10V

归漏源开 -

阻力

1.4

VGS=10V

TJ=125°C

1.5

TJ=25°C

0.5

100

125

150

结温（ ° C）

漏电流（ A）

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