HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE200203
发行日期： 2000年8月1日
修订日期： 2002年3月28日
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HTIP112
NPN外延平面晶体管
描述
该HTIP112设计用于一般用途的放大器和低使用
高速开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-220
•
最高温度
储存温度........................................................................................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................................ 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散(Tc=25°C)................................................................................................. 50瓦
总功率耗散(Ta=25°C)................................................................................................... 2 W
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. .................................................. .. 100 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ................................................. 100 V
BVEBO发射器基极电压....................................................................................................... 5 V
IC集电极电流（继续） ......................................................................................................... 4将
IC集电极电流(Peak)................................................................................................................ 6的
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （上）
*hFE1
*hFE2
COB
分钟。
100
100
-
-
-
-
-
1
500
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
1
2
2
2.5
2.8
-
-
200
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
K
pF
测试条件
IC=1mA
IC=30mA
VCB=100V
VCE=50V
VEB=5V
IC = 2A ， IB = 8毫安
IC = 2A ， VCE = 4V
IC = 1A ， VCE = 4V
IC = 2A ， VCE = 4V
VCB = 10V ， F =为0.1MHz
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
达林顿示意图
C
B
R1
R2
E
HTIP112
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
