HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6743
发行日期： 1998年7月1日
修订日期： 2001年8月30日
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HTIP105
PNP外延平面晶体管
描述
该HTIP105是专为单芯片结构，内置的基线
发射极分流电阻器产业。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
储存温度.......................................................................................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ .................................................. ......... 80瓦
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. .................................................. ..... -60V。
BVCEO集电极到发射极Voltage................................................................................................. -60V。
BVEBO发射器基极电压......................................................................................................... -5 V
IC集电极电流............................................................................................................................ -8 A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE （上）
*hFE1
*hFE2
COB
分钟。
-60
-60
-5
-
-
-
-
-
-
1000
200
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-50
-50
-8
-2
-2.5
-2.8
20000
-
300
单位
V
V
V
uA
uA
mA
V
V
V
测试条件
IC=-1mA
IC=-30mA
IE=-0.1mA
VCE=-30V
VCB=-60V
VEB=-5V
IC = -3A ， IB = -6mA
IC = -8A ， IB = -80mA
IC = -8A ， VCE = -4V
IC = -3A ， VCE = -4V
IC = -8A ， VCE = -4V
VCE = -10V ， F = 100KHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
pF
达林顿示意图
C
B
R1
R2
E
HTIP105
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
