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HTIF127 参数 Datasheet PDF下载

HTIF127图片预览
型号: HTIF127
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内容描述: PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 38 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE9216 -A
发行日期: 1998年7月1日
修订日期: 1999年8月1日
页页次: 1/3
HTIF127
PNP外延平面晶体管
描述
该HTIF127设计用于一般用途的放大器的使用和
低速开关的应用程序。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................ 45瓦
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ...................................... -100 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ................................... -100 V
BVEBO发射器基极电压............................................. ............................................. -5 V
IC集电极电流(Pulse)................................................................................................. -8 A
IC集电极电流(连续) ............................................ ............................................ -5 A
IB基本电流............................................................................................................ -120毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
* BVCEO
ICBO
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
分钟。
-100
-100
-
-
-
-
-
-
1
1
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-200
-500
-2
-2
-4
-2.5
-
-
单位
V
V
uA
uA
mA
V
V
V
K
K
测试条件
IC=-1mA
IC=-100mA
VCB=-100V
VCE=-50V
VEB=-5V
IC = -3A , IB = -12mA
IC = -5A , IB = -20mA
IC = -3A , VCE = -3V
IC = -0.5A , VCE = -3V
IC = -3A , VCE = -3V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HSMC产品规格