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HT112 参数 Datasheet PDF下载

HT112图片预览
型号: HT112
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 5 页 / 55 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HT200101
发行日期: 2000年5月1日
修订日期: 2005.12.02
页页次: 1/5
HT112
NPN外延平面晶体管
描述
该HT112被设计为在通用放大器和低速用
开关应用。
TO-126
绝对最大额定值
(T
A
=25°C)
最高温度
储存温度........................................................................................................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................................................................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(T
A
= 25℃) ................................................................................................................... 1.5瓦
总功率耗散(T
C
= 25℃) .................................................................................................................... 30瓦
热阻
结到当R
θJC
................................................................................................................................... 4.2
o
C / W
最大电压和电流
BV
CBO
集电极基Voltage....................................................................................................................... 100 V
BV
首席执行官
集电极到发射极电压.................................................................................................................... 100 V
BV
EBO
发射器基Voltage.............................................................................................................................. 5 V
I
C
集电极电流................................................................................................................................................ 4将
电气特性
(T
A
=25°C)
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
*V
CE ( SAT )
*V
BE(上)
*h
FE1
*h
FE2
COB
分钟。
100
100
-
-
-
-
-
1
500
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
1
2
2
2.5
2.8
-
-
100
pF
单位
V
V
mA
mA
mA
V
V
K
I
C
=1mA
I
C
=30mA
V
CB
=100V
V
CE
=50V
V
EB
=5V
I
C
= 2A ,我
B
=8mA
I
C
= 2A ,V
CE
=4V
I
C
= 1A ,V
CE
=4V
I
C
= 2A ,V
CE
=4V
V
CB
= 10V ,我
E
=0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
测试条件
HT112
HSMC产品规格