HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号：初步数据
发行日期： 1999年11月1日
修订日期： 200011.01
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HSK2474J
N - 沟道MOSFET
描述
•
动态的dv / dt额定值
•
额定重复性雪崩
•
表面贴装
•
Straigh铅
•
可在Tape&Reel
•
快速开关
•
易于并联的
特点
•
低漏源导通电阻 - R的
DS （ ON）
= 1.2Ω （典型值） @ V
DS
= 10V ，我
D
=1.3A
•
高正向转移导纳-|Yfs|=1.2S@V
DS
= 50V ，我
D
=1.3A
•
低漏电流 - 我
DSS
=为100uA （最大值） @ V
DS
=200V
•
增强模式 - V
th
= 2.0~4.0V@V
DS
= 4V ，我
D
=250uA
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................................. .. 150
°C
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ ............................................ 25瓦
•
最大电压和电流
漏极至源极击穿电压............................................. .................................... 250 V
漏极至栅极击穿电压............................................. ........................................ 250 V
门源Voltage....................................................................................................
±
20 V
漏电流（续） ......................................................................................................... 2.2
漏电流(Pluse.)........................................................................................................ 8.8
热特性
特征
结到外壳
结到环境
符号
R
θJC
R
θJA
马克斯。
5
50
单位
° C / W
° C / W
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
