HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6515
发行日期： 1993年3月15日
修订日期： 2002年1月15日
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HSD1609S
NPN外延平面晶体管
描述
该HSD1609S是专为低频高电压放大器
应用，互补对与HSB1109S 。
绝对最大额定值
TO-92
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ ...................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................ 900毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 160 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... 160 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC收藏家Current........................................................................................................百毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE （SAT）
VBE （ON）的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
160
160
5
-
-
-
60
30
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
140
3.8
马克斯。
-
-
-
10
2
1.5
320
-
-
-
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
IC = 10uA的， IE = 0
IC = 1mA时， IB = 0
IE =为10uA ， IC = 0
VCB = 140V ， IE = 0
IC = 30mA时IB = 3毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IC = 1毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
IE = 0 ， VCB = 10V ， F = 1MHZ
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
中hFE1分类
秩
范围
B
60-120
C
100-200
D
160-320
HSD1609S
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
