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HSC2625 参数 Datasheet PDF下载

HSC2625图片预览
型号: HSC2625
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 2 页 / 26 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号HSC2625的Datasheet PDF文件第2页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HR200201
发行日期: 1996年3月14日
修订日期: 2002年8月13日
页页次: 1/2
HSC2625
NPN外延平面晶体管
描述
该HSC2625是专为三重扩散龙门式高电压,
高速开关应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-3P
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散(TC = 25℃) ........................................ ............................................ 80瓦
最大电压和电流
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 450 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... 400 V
VEBO发射器基Voltage.............................................................................................. 7 V
IC集电极电流............................................................................................................ 10 A
IB基本电流..................................................................................................................... [3] A
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
分钟。
450
400
7
-
-
-
-
10
6
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
1
100
1.2
1.5
30
-
单位
V
V
mA
uA
V
V
测试条件
IC=1mA
IC=10mA
IE=100uA
VCB=450V
VEB=7V
IC = 4A , IB = 800毫安
IC = 4A , IB = 800毫安
IC = 0.5A , VCE = 5V
IC = 4A , VCE = 5V
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HSC2625
HSMC产品规格