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HSC1959SP 参数 Datasheet PDF下载

HSC1959SP图片预览
型号: HSC1959SP
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 30 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HSP200203
发行日期:
1998.01.06
修订日期: 2002年3月4日
页页次: 1/3
HSC1959SP
NPN外延平面晶体管
描述
该HSC1959Y是专为音频低功耗放大器应用。
特点
Execellent线性的hFE
补充HSA562
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ...................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ........................................ 500毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 35 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 30 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC集电极电流....................................................................................................... 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (上)
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
35
30
-
-
-
-
120
40
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
300
7
马克斯。
-
-
100
100
0.25
1
240
-
-
-
单位
V
V
nA
nA
V
V
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
VCB=35V
VEB=5V
IC = 100mA时IB = 10毫安
VCE = 1V , IC =百毫安
VCE = 1V , IC =百毫安
VCE = 6V , IC = 400毫安
IC = 20mA时, VCE = 6V
IE = 0 , VCB = 6V , F = 1MHZ
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
HSC1959SP
HSMC产品规格