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    HSB857 参数 Datasheet PDF下载

    HSB857图片预览
    型号： HSB857
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： PNP外延平面晶体管 [PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 37 K
    品牌： HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
     浏览型号HSB857的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HSB857的Datasheet PDF文件第3页  
    HI- SINCERITY
    微电子股份有限公司。
    特性曲线
    电流增益&集电极电流
    1000
    10000
    规格。编号： HE6705
    发行日期： 1995年1月27日
    修订日期： 2001年9月13日
    页页次： 2/3
    饱和电压&集电极电流
    的hFE @ V
    CE
    =4V
    100
    饱和电压（MV ）
    1000
    V
    BE （ SAT ）
    @ I
    C
    =10I
    B
    的hFE
    10
    100
    V
    BE （ SAT ）
    @ I
    C
    =10I
    B
    1
    1
    10
    100
    1000
    10000
    10
    1
    10
    100
    1000
    10000
    集电极电流（毫安）
    集电极电流（毫安）
    电压&集电极电流
    10000
    10.00
    开关时间&集电极电流
    V
    CC
    = 30V ，我
    C
    =10I
    B1
    = -10I
    B2
    开关时间（我们）
    上压（MV ）
    1.00
    TSTG
    1000
    Tf
    0.10
    吨
    V
    BE（上）
    @ V
    CE
    =4V
    100
    1
    10
    100
    1000
    10000
    0.01
    0.1
    1.0
    10.0
    集电极电流（毫安）
    集电极电流（ A）
    电容&反向偏置电压
    1000
    100000
    P
    T
    =1ms
    10000
    P
    T
    =100ms
    P
    T
    =1s
    1000
    安全工作区
    100
    集电极电流-I
    C
    （MA ）
    COB
    电容（pF）
    100
    10
    10
    0.1
    1
    10
    100
    1
    1
    10
    100
    反向偏置电压（V ）
    正向电压的Vce （V ）
    HSB857
    HSMC产品规格

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