HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6705
发行日期： 1995年1月27日
修订日期： 2002年3月6日
页页次： 1/4
HSB857D
PNP外延平面晶体管
描述
低频功率放大器。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
TO-126ML
•
最高温度
存储温度................................................ .............................................. -50 〜 + 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ............................................. 1.5瓦
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ .............................................. 10瓦
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ..........................................- 60 V
BVCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... -50 V
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. -5 V
IC收藏家Current.............................................................................................................. -3 A
IC集电极电流（ IC峰） ........................................... ................................................ -4.5一
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*的hFE
fT
分钟。
-60
-50
-5
-
-
-
-
-
170
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-0.3
-
-
15
马克斯。
-
-
-
-1
-1
-1
-1
-1.5
400
-
单位
V
V
V
uA
uA
uA
V
V
兆赫
测试条件
IC=-50uA
IC=-1mA
IE=-50uA
VCB=-50V
VCE=-40V
VEB=-4V
IC = -2A ， IB = -0.2A
IC = -2A ， IB = -0.2A
IC = -500mA ， VCE = -3V
VCE = -5V ， IC = -500mA ， F = 100MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HSB857D
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
