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HSB649A 参数 Datasheet PDF下载

HSB649A图片预览
型号: HSB649A
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内容描述: PNP硅外延平面晶体管 [SILICON PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 35 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
特性曲线
电流增益&集电极电流
1000
10000
V
CE ( SAT )
@ I
C
=10I
B
125 C
o
规格。编号: HE6629
发行日期: 1995年12月18日
修订日期: 2002年4月3日
页页次: 2/3
饱和电压&集电极电流
饱和电压(MV )
75 C
100
25 C
o
o
1000
的hFE
125 C
100
25 C
o
o
10
的hFE @ V
CE
=5V
75 C
o
1
1
10
100
1000
10000
10
1
10
100
1000
10000
集电极电流-I
C
(MA )
集电极电流-I
C
(MA )
电压&集电极电流
10000
V
BE(上)
@V
CE
=5V
100
电容&反向偏置电压
75 C
1000
25 C
o
o
电容(pF)
上压(MV )
COB
10
125 C
o
100
1
10
100
1000
10000
1
0.1
1
10
100
集电极电流-I
C
(MA )
反向偏置电压(V )
安全工作区
100000
10000
集电极电流(毫安)
1000
100
P
T
=1ms
P
T
=100ms
P
T
=1s
10
1
1
10
100
1000
正向偏置电压(V )
HSB649A
HSMC产品规格