HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6514
发行日期： 1993年3月15日
修订日期： 2002年2月6日
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HSB1109S
PNP外延平面晶体管
描述
该HSB1109S是专为低频率，高电压
放大器应用互补对与HSD1609S 。
绝对最大额定值
TO-92
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................ 900毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... -160 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... -160 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC集电极电流...................................................................................................... -100毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE （SAT）
VBE （ON）的
*hFE1
*hFE2
fT
COB
分钟。
-160
-160
-5
-
-
-
60
30
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
140
5.5
马克斯。
-
-
-
-10
-2
-1.5
320
-
-
-
单位
V
V
V
uA
V
V
测试条件
IC = -10uA ， IE = 0
IC = -1mA 。 IB = 0
IE = -10uA ， IC = 0
VCB = -140V ， IE = 0
IC = -30mA ， IB = -3mA
VCE = -5V ， IC = -10mA
VCE = -5V ， IC = -10mA
VCE = -5V ， IC = -1mA
VCE = -5V ， IC = -10mA ， F = 100MHz的
VCB = -10V ， IE = 0 ， F = 1MHz的
兆赫
pF
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
中hFE1分类
秩
范围
B
60-120
C
100-200
D
160-320
HSB1109S
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
