HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6334 -B
发行日期： 1992年11月18日
修订日期： 2000年10月1日
页页次： 1/3
HMPSA43
NPN硅晶体管
描述
该HMPSA43是高电压晶体管。
特点
•
高集电极 - 发射极击穿电压
•
低集电极 - 发射极饱和电压
•
对于配套使用带PNP型HMPSA93
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 625毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... 200 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 200 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 6 V
IC集电极电流...................................................................................................... 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
* VBE （SAT）
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
200
200
6
-
-
-
-
25
40
40
50
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
350
900
-
-
-
-
4
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
测试条件
IC = 100uA的， IE = 0
IC = 1mA时， IB = 0
IE =为10uA ， IC = 0
VCB = 200V ， IE = 0
VEB = 6V ， IC = 0
IC = 20mA时， IB = 2毫安
IC = 20mA时， IB = 2毫安
IC = 1mA时， VCE = 10V
IC = 10毫安， VCE = 10V
IC = 30mA时VCE = 10V
IC = 10毫安， VCE = 20V ， F = 100MHz的
VCB = 20V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
中hFE2 & V分类
CE （ SAT ）
秩
NS
N
hFE1
>80
>25
hFE2
>120
>40
hFE3
>120
>40
VCE （ SAT ）
<200mV
<350mV
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
