HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6333
发行日期: 1992年11月18日
修订日期: 2001年5月1日
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HMPSA42
NPN EPITACIAL平面晶体管
描述
该HMPSA42是高电压晶体管。
特点
•
高集电极 - 发射极击穿电压
•
低集电极 - 发射极饱和电压
•
对于配套使用带PNP型HMPSA92
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
•
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... 300 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 300 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 6 V
IC集电极电流....................................................................................................... 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE (SAT)
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
300
300
6
-
-
-
-
25
40
40
50
-
典型值。
-
-
-
-
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-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
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100
100
350
900
-
-
-
-
3
单位
V
V
V
nA
nA
mV
mV
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 260V , IE = 0
VEB = 6V , IC = 0
IC = 20mA时, IB = 2毫安
IC = 20mA时, IB = 2毫安
IC = 1mA时, VCE = 10V
IC = 10毫安, VCE = 10V
IC = 30mA时VCE = 10V
IC = 10毫安, VCE = 20V , F = 100MHz的
VCB = 20V , F = 1MHz时, IE = 0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
兆赫
pF
等级分类
秩
NS
N
HMPSA42
hFE1
>80
>25
hFE2
>120
>40
hFE3
>120
>40
VCE ( SAT )
<200mV
<350mV
HSMC产品规格