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HMPSA42M图片预览
型号: HMPSA42M
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6347 -B
发行日期: 1992年11月25日
修订日期: 2000年10月1日
页页次: 1/4
HMPSA42M
NPN EPITACIAL平面晶体管
描述
该HMPSA42M被设计为应用程序作为一个视频输出到
驱动彩色阴极射线管,或者作为一个拨号电路中的电子电话。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ......................................... 300 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 300 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 6 V
IC集电极电流....................................................................................................... 800毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
分钟。
300
300
6
-
-
-
-
-
80
80
40
50
典型值。
-
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-
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-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
200
750
900
1000
-
-
-
-
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
mV
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VEB = 3V , IC = 0
IC = 20mA时, IB = 2毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 20mA时, IB = 2毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
IC = 10毫安, VCE = 10V
IC = 100mA时VCE = 10V
IC =的200mA, VCE = 10V
IC = 10毫安, VCE = 20V , F = 100MHz的
兆赫
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HSMC产品规格