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型号: HMPS650
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内容描述: NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 42 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6327 -B
发行日期: 1992年9月9日
修订日期:二零零零年九月二十○日
页页次: 1/4
HMPS650
NPN硅晶体管
描述
该HMPS650设计用于音频晶体管。
绝对最大额定值
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -55 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... 60 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ 40 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ 5 V
IC集电极电流.............................................................................................................. 2将
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
VBE (ON)的
* VBE (SAT)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
*hFE4
ft
分钟。
40
60
5
-
-
-
-
-
-
75
75
75
40
75
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
100
100
0.5
0.3
1
1.2
-
-
-
-
-
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
测试条件
IC = 10毫安, IB = 0
IC = 100uA的, IE = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCB = 60V , IE = 0
VEB = 4V , IC = 0
IC = 2A , IB = 200毫安
IC = 1A , IB =百毫安
VCE = 2V , IC = 1A
IC = 1A , IB =百毫安
VCE = 2V , IC = 50毫安
VCE = 2V , IC = 500毫安
VCE = 2V , IC = 1A
VCE = 2V , IC = 2A
VCE = 5V , IC = 50mA时F = 100MHz的
兆赫
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
HSMC产品规格