HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号：初步数据
发行日期： 1992年11月25日
修订日期： 2001年6月29日
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HML1225/HXL1225
0.8A电压三百八分之三百中外合作办学IGT<200uA
描述
该HML1225 / HXL1225系列可控硅整流器高
性能策划师扩散PNPN设备。这些部件是供
低成本大批量应用。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
重复峰值关闭状态
电压
通态电流
平均通态电流
反向峰值门
电压
栅极峰值电流
门耗散
工作温度
储存温度
焊接温度
产品型号
HXL1225
HML1225
符号
VDRM
VDRM
IT （ RMS ）
IT （ AV ）
VGRM
IGM
PG （AV）
Tj
TSTG
TSLD
民
380
300
0.8
0.5
8
1
0.1
-40
-40
-
最大
-
-
-
-
-
-
-
125
125
250
单位
测试条件
V
TJ = 40 ° C至125°C （ RGK = 1K ）
V
一个TC = 40℃
半周期= 180 ° ， TC = 40℃
V
A
W
°C
°C
°C
IGR=10uA
为10μs最大
20ms的最大
1.6毫米的情况下，最多10秒
中IGT分类
秩
HML1225
HXL1225
AA
10-18微安
10-18微安
AB
12-23微安
12-23微安
AC
17-28微安
17-28微安
AD
22-55微安
22-55微安
B
45-105微安
45-105微安
C
-
95-155微安
电气特性
(Ta=25°C)
参数
断态泄漏电流
断态泄漏电流
通态电压
开状态阈值电压
导通状态电阻边坡
门极触发电流
门极触发电压
保持电流
闭锁电流
电压临界上升率
电流上升率Crtical
门控延时
换向关断时间
热阻junc.to情况
热阻JUNC 。到AMB
HML1225 ， HXL1225
符号最小值最大值单位
测试条件
IDRM
-
0.1毫安@VDRM （ RGK = 1K ） ， TJ = 125°C
IDRM
-
5
微安@VDRM （ RGK = 1K ） ， TJ = 25°C
-
1.4
V
在IT = 0.4A ， TJ = 25°C
VT
-
2.2
V
在IT = 0.8A ， TJ = 25°C
VT （ TO ） -
0.95 V
Tj=125°C
rT
-
600欧姆TJ = 125°C
IGT
-
200 uA的VD = 7V
VGT
-
0.8
V
VD=7V
IH
-
5
毫安RGK = 1K （欧姆）
IL
-
6
毫安RGK = 1K （欧姆）
dv / dt的
25
-
V / us的VD = 0.67 * VDRM （ RGK = 1K ） ， TJ = 125°C
的di / dt
30
-
A /我们IG = 10毫安，挖/ DT = 0.1A / us的， TJ = 125°C
TGD
-
500纳秒IG = 10毫安，挖/ DT = 0.1A /美国
Tc=85°C,VD=0.67*VDRM
tg
-
200美元
VR=35V,IT=IT(AV)
-
K / W
100 RθJC
-
K / W
RθJA 200
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
