HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6813
发行日期： 1997年8月11日
修订日期： 2002年10月25日
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HMBT8550
PNP晶体管外延
描述
该HMBT8550是专为通用放大器
应用程序。
特点
•
高直流电流的hFE = 150-400在IC = 150毫安
•
补充HMBT8050
SOT-23
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 225毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ........................................... -25 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ........................................ -20 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................ -5 V
IC集电极电流...................................................................................................... -700毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
* VCE （SAT）
VBE （ON）的
*的hFE
ft
COB
分钟。
-25
-20
-5
-
-
-
-
100
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-1
-100
-500
-1
500
-
10
单位
V
V
V
uA
nA
mV
V
兆赫
pF
测试条件
IC=-10uA
IC=-1mA
IE=-10uA
VCB=-20V
VEB=-6V
IC = -500mA ， IB = -50mA
VCE = - 1V ， IC = -150mA
VCE = - 1V ， IC = -150mA
VCE = -10V ， IC = -20mA ， F = 100MHz的
VCB = -10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
分类的hFE的
秩
范围
B9C
100-200
B9D
150-300
B9E
250-500
HMBT8550
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
