HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号: HE6826
发行日期: 1993年10月27日
修订日期: 2002年10月25日
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HMBT8099
NPN外延平面晶体管
描述
晶体管放大器
绝对最大额定值
SOT-23
•
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 225毫瓦
•
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 80 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 80 V
VEBO发射器基Voltage.............................................................................................. 6 V
IC集电极电流....................................................................................................... 500毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
ICEO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
VBE (ON)的
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
80
80
6
-
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-
-
600
100
100
75
150
-
典型值。
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马克斯。
-
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100
100
100
400
300
800
300
-
-
-
6
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
测试条件
IC=100uA
IC=10mA
IE=10uA
VCB=80V
VCE=60V
VEB=6V
IC = 100mA时IB = 5毫安
IC = 100mA时IB = 10毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCE = 5V , IC = 1毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCE = 5V , IC =百毫安
VCE = 5V , IC = 10毫安
VCB = 5V , F = 1MHz时, IE = 0
*脉冲测试:脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 %
pF
HMBT8099
HSMC产品规格