HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6812
发行日期： 1992年8月25日
修订日期： 2002年10月25日
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HMBT8050
NPN外延型晶体管
描述
该HMBT8050是专为通用放大器
应用程序。
特点
•
高直流电流的hFE = 150-400在IC = 150毫安
•
补充HMBT8550
SOT-23
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ ........................................... -55 〜+ 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 225毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 25 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 20 V
VEBO发射器基Voltage.............................................................................................. 5 V
IC集电极电流....................................................................................................... 700毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
* VCE （SAT）
VBE （ON）的
*的hFE
fT
COB
分钟。
25
20
5
-
-
-
150
150
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
1
500
1
500
-
10
单位
V
V
V
uA
mV
V
兆赫
pF
测试条件
IC = 10uA的， IE = 0
IC = 1mA时， IB = 0
IE =为10uA ， IC = 0
VCB = 20V 。 IE = 0
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VCE = 1V ， IC = 150毫安
VCE = 1V ， IC = 150毫安
VCE = 10V ， IC = 20mA时， F = 100MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
分类的hFE的
秩
范围
D9D
150-300
D9E
250-500
HMBT8050
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
