HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号： HE6838
发行日期： 1994年7月29日
修订日期： 2002年10月25日
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HMBT5551
NPN外延平面晶体管
描述
该HMBT5551是专为一般用途的应用
要求较高的击穿电压。
绝对最大额定值
SOT-23
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................. -55 + 150
°C
结温................................................ .................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ....................................... 225毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 180 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ....................................... 160 V
VEBO发射器基Voltage.............................................................................................. 6 V
IC收藏家Current........................................................................................................ 600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
*VBE(sat)1
*VBE(sat)2
*hFE1
*hFE2
*hFE3
fT
COB
分钟。
180
160
6
-
-
-
-
-
-
80
80
30
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
0.15
0.2
1
1
-
250
-
300
6
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
测试条件
IC=100uA
IC=1.0mA
IE=10uA
VCB=120V
VEB=4V
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
VCE = 5V ， IC = 1毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IC = 50毫安
IC = 10毫安， VCE = 10V ， F = 100MHZ
VCB = 10V ， F = 1MHz的
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
兆赫
pF
HMBT5551
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
